Transistor de matriz de canal enterrado de tipo aislamiento parcial (Pi-BCAT) para un transistor de celda DRAM por debajo de los 20 nm
Autores: Lee, Jin-sung; Park, Jin-hyo; Kim, Geon; Choi, Hyun Duck; Lee, Myoung Jin
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Transistor de matriz de canal enterrado de tipo aislamiento parcial (Pi-BCAT) para un transistor de celda DRAM por debajo de los 20 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transistor de matriz de canal enterrado propuesto
Fuga de corriente
Memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM)
Rendimiento de corriente de apagado
Estructura de dopaje asimétrica
Parámetro efectivo de aislante enterrado.
Licencia
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Citaciones: Sin citaciones
En este documento, proponemos una nueva estructura de transistor de matriz de canal enterrado para resolver el problema de fuga de corriente que ocurre en los capacitores de las celdas de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM). Esta estructura tiene un rendimiento de corriente de apagado superior en comparación con tres tipos de estructuras anteriores. En particular, el transistor de matriz de canal enterrado propuesto tiene un 43% menos de corriente de apagado que la estructura convencional de dopaje asimétrico. Aquí mostramos el rango del parámetro efectivo del aislante enterrado según la profundidad de la compuerta enterrada y mostramos efectivamente el rango de mejora para la corriente de apagado.
Descripción
En este documento, proponemos una nueva estructura de transistor de matriz de canal enterrado para resolver el problema de fuga de corriente que ocurre en los capacitores de las celdas de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM). Esta estructura tiene un rendimiento de corriente de apagado superior en comparación con tres tipos de estructuras anteriores. En particular, el transistor de matriz de canal enterrado propuesto tiene un 43% menos de corriente de apagado que la estructura convencional de dopaje asimétrico. Aquí mostramos el rango del parámetro efectivo del aislante enterrado según la profundidad de la compuerta enterrada y mostramos efectivamente el rango de mejora para la corriente de apagado.